ARH
14-08-2007, 23:35
در اين تاپيک قصد داريم پيرامون تکنولوژي منحصر به ?رد حا?ظه Z-RAM بحث و گ?تگو کنيم.
پيش از هر چيز جهت آشنايي مقدماتي با اين حا?ظه به خبري که آقاي بطني در اين زمينه در سايت منتشر کردند نگاهي بياندازيد :
http://www.sakhtafzar.com/news/hynix-licenses-isi-z-ram-technology-for-future-dram-chips-.html
به کمک تکنولوژي Z-RAM ٬ ميتوان حا?ظههاي پرسرعتي ساخت که هر سلول آنها تنها به يک ترانزيستور نياز دارد . اين موضوع از اين بابت ارزشمند بوده و به عنوان يک حا?ظه انقلابي از آن ياد ميشود که حا?ظههاي DRAM امروزي مبتني بر سلولهايي متشکل از يک ترانزيستور و يک خازن٬ بسيار کند بوده مصر? توان زيادي دارند و سلولهاي SRAM سريعي که داخل حا?ظه کش به کار ميروند مبتني بر سلولهاي شش ترانزيستوري بسيار حجيم ميباشند.
تحقيقات نشان داده است که حدود 83 درصد سطح Die پردازندههاي گرانقيمت در سال 2008 را همين سلولهاي SRAM اشغال براي حا?ظه Cache اشغال خواهند کرد و اگر به ?کر يک راهکار جايگزين نباشيم اين مقدار به 90 درصد در سال 2011 خواهد رسيد.
بنابر اين نياز به يک ساختار حا?ظه که در وحله اول سادهتر از سلولهاي SRAM بوده و در وحله دوم سريعتر از سلولهاي DRAM باشد و در وحله سوم ٬ ?راوري ساخت آن چندان مت?اوت با ?راوري ساخت حا?ظههاي ?علي نباشد٬ يک نياز اساسي است که مهندسين سويسي شرکت innovative silicon در سال 2005 با ابتکاري به نام Z-RAM سر نام Zero Capacitance Dynamic Random Access Memory به اين نياز پاسخ داده و در سال 2007 برنده Award ه master of memory از IEEE Spectrum شدند ٬ طي همين دو سال اينقدر طرحشون رو توسعه داند که hynix باهاشون قرار داد همکاري بست و به زودي اين نوع حا?ظه ها رو در بازار جايگزين تراشههاي DRAM متداولي که روي ماژولهاي حا?ظه DDR2 يا DDR3 نصب ميشوند ٬ خواهند شد.
در ادامه قصد دارم بيشتر وارد جزئيات مطلب ميشم و نحوه عملکرد سلولهاي Z-RAM با يک و ?قط يک ترانزيستور رو تشريح خواهم کرد.
http://www.spectrum.ieee.org/images/jan07/images/wsemiinfo.gif
پيش از هر چيز جهت آشنايي مقدماتي با اين حا?ظه به خبري که آقاي بطني در اين زمينه در سايت منتشر کردند نگاهي بياندازيد :
http://www.sakhtafzar.com/news/hynix-licenses-isi-z-ram-technology-for-future-dram-chips-.html
به کمک تکنولوژي Z-RAM ٬ ميتوان حا?ظههاي پرسرعتي ساخت که هر سلول آنها تنها به يک ترانزيستور نياز دارد . اين موضوع از اين بابت ارزشمند بوده و به عنوان يک حا?ظه انقلابي از آن ياد ميشود که حا?ظههاي DRAM امروزي مبتني بر سلولهايي متشکل از يک ترانزيستور و يک خازن٬ بسيار کند بوده مصر? توان زيادي دارند و سلولهاي SRAM سريعي که داخل حا?ظه کش به کار ميروند مبتني بر سلولهاي شش ترانزيستوري بسيار حجيم ميباشند.
تحقيقات نشان داده است که حدود 83 درصد سطح Die پردازندههاي گرانقيمت در سال 2008 را همين سلولهاي SRAM اشغال براي حا?ظه Cache اشغال خواهند کرد و اگر به ?کر يک راهکار جايگزين نباشيم اين مقدار به 90 درصد در سال 2011 خواهد رسيد.
بنابر اين نياز به يک ساختار حا?ظه که در وحله اول سادهتر از سلولهاي SRAM بوده و در وحله دوم سريعتر از سلولهاي DRAM باشد و در وحله سوم ٬ ?راوري ساخت آن چندان مت?اوت با ?راوري ساخت حا?ظههاي ?علي نباشد٬ يک نياز اساسي است که مهندسين سويسي شرکت innovative silicon در سال 2005 با ابتکاري به نام Z-RAM سر نام Zero Capacitance Dynamic Random Access Memory به اين نياز پاسخ داده و در سال 2007 برنده Award ه master of memory از IEEE Spectrum شدند ٬ طي همين دو سال اينقدر طرحشون رو توسعه داند که hynix باهاشون قرار داد همکاري بست و به زودي اين نوع حا?ظه ها رو در بازار جايگزين تراشههاي DRAM متداولي که روي ماژولهاي حا?ظه DDR2 يا DDR3 نصب ميشوند ٬ خواهند شد.
در ادامه قصد دارم بيشتر وارد جزئيات مطلب ميشم و نحوه عملکرد سلولهاي Z-RAM با يک و ?قط يک ترانزيستور رو تشريح خواهم کرد.
http://www.spectrum.ieee.org/images/jan07/images/wsemiinfo.gif