مشاهده نسخه کامل : سوال در مورد تاخیرات ram
naughtysiavash
12-09-2007, 13:33
دوستان عزیز لط?ا تاخیرات(... ram (trcd ,trp , trsmin,cmd به طور کامل توضیح دهید وبگویید هر تاخیر در چه مورد هست .
ممنون
naughtysiavash
13-09-2007, 20:37
كسي نيست جوابي به سوال من بده ؟!!!!!!
masoud123
13-09-2007, 20:54
Timing از اساسي ترين مواردي است كه كاربران حر?ه اي و خصوصا OverClocker ها به آن توجه مي كنند . اين مسئله باعث مي شود حتي دو ماژول رم با سرعت انتقال يكسان , كارآيي مت?اوتي داشته باشند . در مقاله سعی می شود توضیحات و معر?ی تایمینگ و تاثیر آنم صحبت شود
تايمينگ معمولا عددي است به شكل : 2-2-2-5-T1
و هر كدام از اين اعداد داراي تعري?ي هستند و بر اساس Clock Cycle محاسبه مي شوند .
( مقدار Clock Cycle هايي را نشان مي دهد كه حا?ظه براي انجام يك عمليات خاص مصر? مي كند )
اين اعداد به ترتيب از چپ به راست CL – tRCD – tRP – tRAS - CMD ناميده ميشوند . براي ?هميدن اساس كار اين ارقام بهتر است در ذهن خود چنين تصور كنيد كه داده ها در يك تقاطع بصورت سطري و ستوني قرار گر?ته اند ( چيزي شبيه ماتريس )
ابتدا تعري? كلي از اين اصطلاحات خواهيم داشت و سپس موارد اصلي را بطور كامل بررسي خواهيم كرد :
CAS Latency ( CL ) : مدت زمان تاخير بين دستور داده شده از طر? CPU تا هنگام ارسال جواب است . ( زمان بين درخواست CPU و ارسال داده از طر? حا?ظه )
tRCD : تاخير RAS to CAS – زمان بين ?عالسازي سطر ( RAS ) تا ?عالسازي ستون ( CAS ) . جايي كه داده در ماتريس ذخيره شده است .
tRP : RAS Precharge زماني كه طول مي كشد تا دسترسي به سطر ?علي غير ?عال شود و دسترسي به سطر ديگر ?عال شود .
tRAS : Active To Prechare Delay : مدت زماني است كه حا?ظه بايد صبر مي كند تا دسترسي بعدي به حا?ظه بتواند آغاز شود .
CMD : Command Rate : مدت زماني است بين ?عال شدن Memory Chip و ?رستادن واولين دستور به حا?ظه . معمولا در اكثر موارد اين عدد ناديده گر?ته مي شود .
( مقدار آن يا T1 است به معناي 1 Clock Cyle يا T2 به معناي 2 Clock Cycle )
تا اينجا بطور كوتاه بررسي كرديم كه اصولا تايمينگ چيست و چه كاري انجام مي دهد . در اكثر موارد در سيستم خود 2 حالت را پيش رو داريد . يا با انتخاب حالت اتوماتيك سيستم را در حالتي قرار مي دهيد كه بصورت اتوماتيك تايمينگ را تنظيم كند يا با تنظيم دستي Timing را كاهش مي دهيد تا كارآيي بهتري را بدست آوريد . البته بايد بدانيد همه مادربورد ها امكان تغيير تايمينگ را ندارند بنابراين ممكن است بطور پيش ?رض ان را در بالاترين حالت قرار دهند !
نكته ديگر اينكه در Over Clocking با ا?زايش تايمينگ مي توان به Clock بالاتري رسيد اما در اكثر موارد كارايي كل كاهش مي يابد . اما اگر دقت كتيد حا?ظه هايي هستند كه در بازار مخصوص Over Clock به ?روش مي رسند . اين حا?ظه ها با داشتن تايميگ بالا اين امكان را مي دهند كه بدون تغيير تايمينگ Clock را تا حداكثر مقدار ممكن بالا برد .
حال به توضيح تك تك پارامتر هاي تايمينگ مي پردازيم :
CL – CAS Latency
همانطور كه قبلا اشاره شد CL معرو?ترين پارامتر تايمينگ است . اين پارامتر به ما مي گويد كه چه تعداد Clock ycle تاخير خواهد داشت تا داده درخواستي را باز گردند . براي مثال يك حا?ظه با CL=3 تاخيري برابر 3 Clock Cycle براي ارايه داده خواهد داشت . يا CL=5 كه در مقايسه با اولي ( هر دو با Clock Rate يكسان ) كند تر است . بايد دانست كه در اين تعري? منظور از Clock همان كلاك واقعي است كه ماژول حا?ظه مي تواند با آن كار كند .
( كلاك واقعي : نص? مقداري كه بر روي ماژول هاي رم نوشته شده : DDR400 à 200 Mhz )
با توجه به اينكه حا?ظه هاي DDR/DDR2 در واحد زمان دو بار داده ارسال مي كنند , كلاك واقعي انها دو برابر شده و بر روي آنها نوشته مي شود .
مي دانيم كه T=1/F كه F كلاك واقعي است . براي مثال :
DDR2-533 à 266 Mhz real Clock
در نتيجه : T=1/266 كه برابر با 3.75 نانو ثانيه است .
حال با CL هاي مت?اوت خواهيم داشت :
CL=3 3 * 3.75 = 11.75 ns
CL=5 5 * 3.75 = 18.75 ns
با مثال ?وق به راحتي مي توان تاخير رم را با توجه به تايمينگ مت?اوت متوجه شد .
نكته بسيار مهم اين است كه حا?ظه هاي SD – DDR – DDR2 بصورت مد پشت سرهم ( Burst Mode )
عمل مي كنند . يعني اگر آدرس داده بعدي ( پس از دريا?ت اولين داده ) درست پس از داده ?علي بر روي خط ادرس قرار گيرد آنگاه داده براي خروج تنها يك سيكل تاخير خواهد داشت . بنابراين اگر چه داده درخواستي اوليه به اندازه CL تاخير خواهد داشت اما داده بعدي درست به اندازه يك سيكل تاخير داشته و ارايه خواهد
شد . بايد توجه داشت اين حالت زماني ات?اق مي ا?تد كه آدرس داده بعد درست پس از داده ?علي در خط ادرس قرر گيرد .
RAS to CAS Delay ( tRCD )
هر چيپ حا?ظه بصورت يك ماتريس سازماندهي شده است . در تقاطع هر سطر و ستون يك خازن خواهيم داشت كه وظي?ه نگه داري 0 يا 1 را داراست . در داخل هر چيپ حا?ظه پروسه دسترسي به داده ذخيره شده توسط ?عالسازي سطر و ستوني كه داده در انجا قرار گر?ته است , صورت مي پذيرد . اين Activation
با دو دستور كنترلي با نام هاي RAS ( سيگنال ?عالسازي سطر ) و CAS ( سيگنال ?عالسازي ستون ) انجام خوهد شد . زمان كمتر بين ?عالسازي اين دو دستور سبب ا?زايش سرعت دسترسي مي شود و داده سريعتر خوانده مي شود .
همانطور كه در بحث CL مطرح شد اينجا نيز تعداد تاخيز بر مبناي Cock واقعي محاسبه خواهد شد . هر چه اين پارامتر كمتر باشد سرعت خواندن و نوشتن در حا?ظه بيشتر خواهد شد .
RAS Precharge
بعد از اينكه داده از حا?ظه گر?ته شد يك دستور احتياج است تا سطر ?عال ?علي را كه براي داده است?اده شده است ببندد وحا?ظه را براي ?عالسازي بعدي آماده كند . RAS Precharge در واقع زمان مصر?ي بين دستور Precharge تا دستور Active بعدي است . ( دستور Active را در شكل قبل دقت كنيد )
قبلا دانستيم كه دستور Active يك عمليات خواندن يا نوشتن را آغاز مي كند .
ديگر پارامتر ها ...
بهتر است به دو مورد آخر نيز نگاهي بياندازيم :
1 ) tRas يا Active to Precharge Delay : بعد از اينكه يك دستور Active ايجاد شد يك دستور Precharge ديگر نمي تواند ايجاد شود تا زمانيكه tRAS بگذرد . لذا اين پارامتر زماني را كه حا?ظه
مي تواند سطر ديگري را بخواند يا بنويسد محدود مي كند .
2 ) Command Rate زماني است بين ?عال شدن يك چيپ حا?ظه ( از طريق پايه Chip Select ) تا زمان ارسال اولين دستور خارجي . بطور معمول اين پارامتر بصورت زير است :
T1 : تاخير 1 سيكل .
T2 : تاخير 2 سيكل .
vBulletin v3.8.5, Copyright © 2000-2006, Jelsoft Enterprises Ltd.