راهنمایی تخصصی در مورد یک سری اصطلاحات در رم

[omid_f]

با سلام به متخصصان عزیز . من می خواستم یک رم DDR باس 400 (2* 512=1Gb ) بگیرم که با سر زدن به سایتهای مختل�? به اصطلاحات زیر بر خوردم . لط�?ا راهنمایی کنید . به عنوان مثال :
CL 3-4-4-8
(CAS-TRCD-TRP-TRAS)
لط�?ا بگین تک تک این اعداد و اصطلاحات نظیرشون که زیرشون ذکر شده به چه معنی هستند .
در ضمن اگه راهنمایی کنید که بین Geil و OCZ کدوم رو انتخاب کنم ممنون میشم .

[AMD>INTEL]

دوست من تو كتاب حا�?ظه اصلي نوشته جناب عليرضا حقدوست تمامي موارد �?وق بصورت كامل توضيح داده شده است. كتاب م�?يدي هست با قيمتي مناسب

[Gabana]

تايمينگ معمولا عددي است به شكل : 2-2-2-5-T1

و هر كدام از اين اعداد داراي تعري�?ي هستند و بر اساس Clock Cycle محاسبه مي شوند .

( مقدار Clock Cycle هايي را نشان مي دهد كه حا�?ظه براي انجام يك عمليات خاص مصر�? مي كند )





اين اعداد به ترتيب از چپ به راست CL – tRCD – tRP – tRAS - CMD ناميده ميشوند . براي �?هميدن اساس كار اين ارقام بهتر است در ذهن خود چنين تصور كنيد كه داده ها در يك تقاطع بصورت سطري و ستوني قرار گر�?ته اند ( چيزي شبيه ماتريس )

ابتدا تعري�? كلي از اين اصطلاحات خواهيم داشت و سپس موارد اصلي را بطور كامل بررسي خواهيم كرد :



CAS Latency ( CL ) : مدت زمان تاخير بين دستور داده شده از طر�? CPU تا هنگام ارسال جواب است . ( زمان بين درخواست CPU و ارسال داده از طر�? حا�?ظه )



tRCD : تاخير RAS to CAS – زمان بين �?عالسازي سطر ( RAS ) تا �?عالسازي ستون ( CAS ) . جايي كه داده در ماتريس ذخيره شده است .



tRP : RAS Precharge زماني كه طول مي كشد تا دسترسي به سطر �?علي غير �?عال شود و دسترسي به سطر ديگر �?عال شود .



tRAS : Active To Prechare Delay : مدت زماني است كه حا�?ظه بايد صبر مي كند تا دسترسي بعدي به حا�?ظه بتواند آغاز شود .



CMD : Command Rate : مدت زماني است بين �?عال شدن Memory Chip و �?رستادن واولين دستور به حا�?ظه . معمولا در اكثر موارد اين عدد ناديده گر�?ته مي شود .

( مقدار آن يا T1 است به معناي 1 Clock Cyle يا T2 به معناي 2 Clock Cycle )

[ARH]

دوست عزيز، اين تعاري�? تا حدودي نادرست هستند، اگه �?رصت كنم، اون بخش از كتاب رو اينجا براتون مي‌گذارم.

[omid_f]

پس با ت�?اسیر همه این اعداد زمان تاخیر هستند و هرچه کمتر باشند به معنی سرعت کار سریعتر رم هست ، درسته؟
در مورد Clock Cycle هم بیشتر توضیح بدید .

[omid_f]

دوست عزيز، اين تعاري�? تا حدودي نادرست هستند، اگه �?رصت كنم، اون بخش از كتاب رو اينجا براتون مي‌گذارم.
اگه این لط�? رو بکنید ممنون میشم

[Gabana]

دوست عزيز، اين تعاري�? تا حدودي نادرست هستند، اگه �?رصت كنم، اون بخش از كتاب رو اينجا براتون مي‌گذارم.

علیرضا جان ..
اگه می گ�?تید تعاری�? ناقص هستن قبول می کردم ( چون تنها بخش از مطلب را اینجا Paste کردم ). اما بهیچ وجه نادرست نیستن . لط�?ا بی دلیل مطلب �?وق رو رد نکنید /.

[Gabana]

این هم منبع - می تونید خودتون مطالعه کنید :

The operations that these numbers indicate are the following: CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD. To understand them, bear in mind that the memory is internally organized as a matrix, where the data are stored at the intersection of the lines and columns.

* CL: CAS Latency. The time it takes between a command having been sent to the memory and when it begins to reply to it. It is the time it takes between the processor asking for some data from the memory and it returning it.
* tRCD: RAS to CAS Delay. The time it takes between the activation of the line (RAS) and the column (CAS) where the data are stored in the matrix.
* tRP: RAS Precharge. The time it takes between disabling the access to a line of data and the begin of the access the another line of data.
* tRAS: Active to Precharge Delay. How long the memory has to wait until the next access to the memory can be initiated.
* CMD: Command Rate. The time it takes between the memory chip having been activated and when the first command may be sent to the memory. Sometimes this value is not informed. It usually is T1 (1 clock cycle) or T2 (2 clock cycles).


http://www.hardwaresecrets.com/article/26/2

[omid_f]

دوست عزیز Gabana
پس با ت�?اسیر همه این اعداد زمان تاخیر هستند و هرچه کمتر باشند به معنی سرعت کار سریعتر رم هست ، درسته؟
در مورد Clock Cycle هم میشه بیشتر توضیح بدید

[ARH]

بخشي از نگاشته‌هاي كتاب حا�?ظه‌ اصلي در كامپيوتر شخصي (http://www.sakhtafzar.com/article/memory-book.html):

هر دستوري براي اجرا نياز به زمان دارد و هيچ كاري بدون صر�? زمان انجام نمي‌شود. اين قانون در ذخيره‌سازي داده‌ها و بازخواني آن‌ها از حا�?ظه نيز صادق است. در اجراي عمليات‌�? خواندن يا نوشتن داده‌ها نيز، زمان‌هايي صر�? مي‌شود. علاوه بر اين، �?رآيند نوسازي در حا�?ظه‌ي DRAMتاخير دسترسي به داده‌ها را دو برابر كرده است. مهم‌ترين زمآن‌هاي تاخير، بر روي ماژول حا�?ظه به صورت يك رشته عددي نوشته شده و Timing يا "زمان بندي" آن مدل ماژول حا�?ظه ناميده مي‌شود. به عنوان مثال، روي ماژول حا�?ظه‌ي كامپيوتر من دنباله‌ي 8-3-4-3 نوشته شده است. هر يك از اين اعداد بر حسب "سيكل كلاك مرجع"، بيان‌گر ميزان تاخير در عمليات خاصي است كه در ادامه شرح داده مي‌شود.
پارامتر‌هاي زمان‌بندي در تمام حا�?ظه‌هاي اصلي�? كامپيوتر از SDRAM گر�?ته تا DDR2 تعري�? يكساني دارند و اهميت آن‌ها كمتر از اهميت �?ركانس�?‌كاري ماژول حا�?ظه نيست و ممكن است به همان اندازه در كارآيي كلي كامپيوتر موثر باشند. نام هر يك از پارامتر‌هاي زمان‌بندي به ترتيبي كه روي ماژول حا�?ظه نوشته مي‌شود عبارت است از CL- tRCD- tRP- tRAS . م�?هوم زمان تاخير براي هر يك از اين پارامترها عبارت است از:


CL يا CAS Latency
مخ�?�? Column access strobe Latency تعداد «سيكل كلاك» ، تاخير از زمان �?عال شدن ستون يك سلول تا زماني كه داده‌ي ذخيره شده در با�?ر سطر كه به آن ستون اختصاص دارد آماده تخليه در گذرگاه شود ، به بيان ديگر تاخيري كه براي دسترسي به يك سلول پس از �?عال شدن ستون آن ، CL نام دارد.

tRCD
مخ�?�? Time RAS to CAS Delay تعداد «سيكل كلاك» ، تاخير از زماني كه سطر يك سلول �?عال و داده‌هاي داخل آن سطر در با�?ر سطر ذخيره شده تا زماني كه ستون آن سلول �?عال شود را نشان مي دهد. يعني مدت زمان tRCD پس از �?عال شدن سطر يك سلول مصر�? ميشود تا ستون آن سلول انتخاب و �?عال شود.

tRP
مح�?�? Time RAS Precharge تعداد «سيكل كلاك» ، تاخير ميان تخليه با�?ر سطر و قرارگر�?تن داده‌هاي سطري ديگر در آن است. يعني مدت زمان tRP نياز است تا يك سطر غير �?عال شده و سطر ديگري به جاي آن �?عال شود.

tRAS
مخ�?�? Time Row access strobe تعداد «سيكل كلاك» ، تاخيري است كه براي �?عال شدن خط كلمه يك سطر و انتقال داده‌هاي آن به با�?ر سطر مصر�? مي‌شود. به بيان ديگر مدت زمان tRAS طول ميكشد تا يك سطر از داخل تراشه حا�?ظه �?عال شده و اطلاعات آن در داخل با�?ر سطر قابل دسترسي باشند.

ارتباط پارامترهاي زمان‌بندي با هم
حا�?ظه‌اي را در نظر بگيريد كه روي آن پارامترهاي زمان‌بندي 8-3-4-3 نوشته شده است. هنگام خواندن داده‌ي ذخيره شده در يك سلول از اين حا�?ظه، 8 سيكل كلاك مرجع براي �?عال شدن سطر آن سلول و قرارگر�?تن در با�?ر سطر صر�? مي‌شود (tRAS). سپس اگر در انتخاب سطر اشتباهي شده باشد يا سلول‌هاي روي آن همگي خوانده شده باشند، 3 سيكل كلاك صر�? مي‌شود تا سطر انتخاب شده غير �?عال شود و سطر ديگري به با�?ر سطر منتقل شود(tRP). اكنون كه سطر سلول انتخاب شد، بايد به سراغ ستون آن برويم. در اين مثال 4 سيكل كلاك صر�? مي‌شود تا ستون مربوطه �?عال شود(tRCD) و در پايان نيز 3 سيكل كلاك براي تخليه‌ي داده‌ي ذخيره شده در سلول به درون گذرگاه زمان لازم است(CL).
معمولاً بيشتر�? داده‌هاي ذخيره شده در سلول‌هاي حا�?ظه‌ي يك سطر، در كنار هم زنجيروار اطلاعات قابل‌�?همي را تشكيل مي‌دهند. بنابراين با خوانده‌شدن نخستين سلول اين زنجيره، سلول‌هاي ديگر نيز بايد خوانده شوند. چون سطر همه‌ي آن‌ها �?عال است و در با�?ر�? سطر وجود دارد، براي خواندن ساير سلول‌ها �?قط تاخير CL وجود خواهد داشت. به همين دليل نخستين پارامتر زمان‌بندي كه CL نام دارد در كارآيي حا�?ظه نقش موثرتري نسبت به ساير پارامتر‌ها دارد.

مدت زمان يك تاخير
همه‌ي اعداد گ�?ته‌شده در پارامترهاي زمان‌بندي برحسب سيكل كلاك مرجع اندازه‌گيري شده‌اند، نه برحسب ثانيه. اگر پارامترهاي زمان‌بنديي كه در مثال بالا مطرح شد مربوط به حا�?ظه‌ي DDR400 باشد، با اطلاع از اين‌كه �?ركانس مرجع اين نوع حا�?ظه 200 مگاهرتز است، هر سيكل كلاك آن يك دويست ميليونيم ثانيه، برابر با 5 نانو ثانيه خواهد بود. بنابراين براي دسترسي به يك سلول حا�?ظه در اين مدل حا�?ظه(براي نخستين بار با درنظر‌گر�?تن خطاي انتخاب سطر) 18 سيكل كلاك مرجع معادل 90 نانو ثانيه تاخير وجود دارد.

زمان دسترسي
تراشه‌ي DRAM مي‌تواند با �?ركانس‌هاي مت�?اوتي كه در تنظيم‌هاي ماژول حا�?ظه اعمال شده است كار كند. اما �?ن‌آوري ساخت، محدوديتي را براي ا�?زايش �?ركانس�? تراشه ايجاد كرده است كه نمي‌توان تراشه را با هر �?ركانسي راه‌اندازي كرد. به همين خاطر معمولاً روي تراشه‌هاي DRAM عددي وجود دارد كه كمترين بازه‌ي زماني�? هر سيكل كلاك را در حالت پايدار تعيين مي‌كند. اين عدد با توجه به ملاك‌هاي سازنده‌ي DRAM تخمين زده مي‌شود و روي تراشه حك مي‌شود. با توجه به اين عدد، كه مدت كوچكترين سيكل كلاك را برحسب نانو ثانيه نشان مي‌دهد، مي‌توان بيشترين �?ركانس پايدار تراشه يا تعداد سيكل كلاك‌ها را در يك ثانيه به دست آورد. به عنوان مثال، زمان دسترسي 5 نانو ثانيه بيشترين �?ركانس پايدار تراشه‌ي 200 مگاهرتزي را ايجاد مي‌كند .

ممكنه با برخي م�?هيم گ�?ته شده مثل با�?ر سطر آشنا نباشيد، توي كتاب دقيقا با شكل اين م�?اهيم رو مشخص كردم، اطلاعات بيشتر رو مي‌تونيد داخل كتاب بخونيد.